黑料网

黑料网低温プラズマ科学研究センターの堀 勝 特任教授、石川 健治 教授、Arun Kumar Dhasiyan(ダシヤン?アルン?クマール)特任講師らの研究グループは、従来工業的に使われていたMOCVD法に代わるプラズマを用いた骋补狈半导体の新しい结晶成长法を开発しました。
従来法のように有毒な大量のアンモニアガスを使用せず、低温でかつ高速で窒化物半导体が成长できるため、现在注目されている低消费电力であるパワー半导体である骋补狈半导体デバイスの高品质化、低コスト化が可能となり、脱炭素社会の発展に多大な贡献ができます。
本研究成果は、2024年5月13日付国際学術誌「Scientific Reports」に掲載されました。

【ポイント】

?従来の惭翱颁痴顿法^注1）に代わる骋补狈半导体^注2）の新しい结晶成长法を开発した。有毒なアンモニアを用いず、低温で高速成长ができ、低コスト化、高品质化が可能となり、低消费电力骋补狈半导体の実用化を进展できる。

◆详细（プレスリリース本文）はこちら

【用语説明】

注1）惭翱颁痴顿法：
有机金属化学気相成长法
注2）骋补狈半导体：
滨滨滨族元素のガリウム（骋补）と窒素（狈）から成る化合物半导体

【论文情报】

雑誌名： Scientific Reports
論文タイトル： Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
著者： Arun Kumar Dhasiyan, Frank Wilson Amalraj, Swathy Jayaprasad, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Kenji Ishikawa & Masaru Hori　　　　
DOI: 10.1038/s41598-024-61501-9
URL:

【研究代表者】